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分立半导体
PMZB350UPE,315参考图片

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PMZB350UPE,315

  • Nexperia
  • 最新
  • MOSFET 20 V, dual P-channel Trench MOSFET
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数量单价合计
1
¥3.2318
3.2318
10
¥2.4408
24.408
100
¥1.3221
132.21
1,000
¥0.99101
991.01
10,000
¥0.79891
7989.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-1006B-3
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
1.4 A
Rds On-漏源导通电阻
940 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
450 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
1.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
715 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
2 P-Channel
商标
Nexperia
正向跨导 - 最小值
1.4 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
4 ns
单位重量
0.690 mg
商品其它信息
优势价格,PMZB350UPE,315的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
1:¥4.9946
10:¥3.8759
100:¥3.4013
500:¥3.0397
8,000:¥1.8871
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1:¥4.9155
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
3,000:¥2.0905
参考库存:79215
分立半导体
MOSFET 60V 20A N-Channel
1:¥6.6896
10:¥5.6952
100:¥4.3731
500:¥3.8646
2,500:¥2.7007
10,000:查看
参考库存:62982
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达林顿晶体管 NPN Epitaxial Darl
1:¥5.1528
10:¥4.2149
100:¥2.7233
1,000:¥2.1809
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1:¥3.5369
10:¥2.4408
100:¥1.12209
1,000:¥0.86784
3,000:¥0.73789
参考库存:106441
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