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分立半导体
CSD19503KCS参考图片

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CSD19503KCS

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET 80V 7.6mOhm N-CH Pwr MOSFET
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数量单价合计
1
¥11.8311
11.8311
10
¥10.0683
100.683
100
¥7.9891
798.91
500
¥7.0399
3519.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
9.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
28 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
188 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Tube
高度
16.51 mm
长度
10.67 mm
系列
CSD19503KCS
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
110 S
下降时间
2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
7 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,CSD19503KCS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
分立半导体模块 25A 1000V SCR BRDG MODULE POWER
1:¥368.2218
10:¥350.4695
25:¥342.8646
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100:¥324.875
参考库存:46757
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1:¥22.3627
10:¥18.5998
100:¥14.4414
500:¥12.5995
1,000:¥10.4525
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分立半导体
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1:¥1,271.702
2:¥1,241.1242
5:¥1,227.9032
10:¥1,210.23
参考库存:46767
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1:¥3.9211
10:¥2.9154
100:¥2.1018
500:¥1.8419
2,000:¥1.1752
10,000:查看
参考库存:18372
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky - D2PAK-e3
1:¥17.3681
10:¥14.4414
100:¥11.2209
500:¥9.831
1,000:¥8.1473
参考库存:12374
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