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分立半导体
FGP15N60UNDF参考图片

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FGP15N60UNDF

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库存:6,912(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.436
19.436
10
¥16.5206
165.206
100
¥13.221
1322.1
500
¥11.526
5763
1,000
¥9.5259
9525.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
178 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FGP15N60UNDF
封装
Tube
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
+/- 10 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
800
子类别
IGBTs
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FGP15N60UNDF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch 700V 38A TO247-3
1:¥51.641
10:¥46.6464
25:¥44.4881
100:¥38.646
参考库存:5124
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 600mA 40
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
3,000:¥0.30736
参考库存:31616
分立半导体
整流器 1Amp 400Vrrm 400Vr 280Vrms 30A Ifsm
1:¥3.2318
10:¥2.7007
100:¥1.695
1,000:¥1.2769
3,000:¥1.08367
参考库存:34158
分立半导体
整流器 SI STND RECOV DO-8 200-1400V 150A 800PV
1:¥296.06
5:¥287.8449
10:¥275.9347
20:¥256.0354
参考库存:4260
D3
分立半导体
MOSFET 280 mOhm 650V Superjunction Power MOSFET in TO-220
1:¥12.5995
10:¥10.2152
100:¥8.1473
500:¥7.1303
参考库存:16047
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