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分立半导体
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FDD6N50TM-WS

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数量单价合计
1
¥8.0682
8.0682
10
¥6.8817
68.817
100
¥5.2884
528.84
500
¥4.6669
2333.45
1,000
¥3.6838
3683.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
760 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
89 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FDD6N50
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
55 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
6 ns
零件号别名
FDD6N50TM_WS
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格，FDD6N50TM-WS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZX84W-C2V4F
Nexperia
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稳压二极管 BZX84W-C2V4 SC-70
1:¥1.3108
10:¥1.1413
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1,000:¥0.26894
参考库存:54464
BZX84W-C22X
Nexperia
分立半导体
稳压二极管 BZX84W-C22 SC-70
1:¥1.3108
10:¥1.1413
100:¥0.4068
1,000:¥0.26894
参考库存:54469
BR1010W-G
Comchip Technology
分立半导体
桥式整流器 DIODE RECT BRIDGE 10A 1000V
暂无价格
参考库存:54474
CR03AM-16A#B00
Renesas Electronics
分立半导体
SCR Thyristor
1:¥7.1416
10:¥6.4975
25:¥5.763
100:¥5.0172
参考库存:54479
BAS20-G3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 200 Volt 200mA 50ns 2.5A IFSM
1:¥2.147
10:¥1.4012
100:¥0.68365
500:¥0.58421
3,000:¥0.35369
6,000:查看
参考库存:54484
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