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分立半导体
HBDM60V600W-7参考图片

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HBDM60V600W-7

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200mW Half H-Bridge
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数量单价合计
1
¥2.8476
2.8476
10
¥2.147
21.47
100
¥1.1639
116.39
1,000
¥0.87575
875.75
3,000
¥0.75258
2257.74
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
晶体管极性
NPN, PNP
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 60 V, 65 V
集电极—基极电压 VCBO
- 60 V, 80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5.5 V, 6 V
集电极—射极饱和电压
- 0.5 V
最大直流电集电极电流
0.5 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HBDM60
直流电流增益 hFE 最大值
300
高度
1 mm
长度
2.2 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.35 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
- 600 mA, 500 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
50
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
6 mg
商品其它信息
优势价格，HBDM60V600W-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
GBU8A-BP
Micro Commercial Components (MCC)
分立半导体
桥式整流器 8A 50V
2,000:¥4.3053
4,000:¥4.0906
10,000:¥4.0002
参考库存:35062
VS-307URA250P4
Vishay Semiconductors
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 Diodes - DO9 BRAZ RND
12:¥602.3465
36:¥582.2212
60:¥574.2208
108:¥542.1853
参考库存:35067
SCT30N120H
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET
1,000:¥108.8868
参考库存:35072
1PMT4112CE3/TR7
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
3,000:¥1.695
24,000:¥1.5933
48,000:¥1.5707
参考库存:35077
UFS150JE3/TR13
Microsemi
分立半导体
整流器 Ultra Fast Rectifier (less than 100ns)
3,000:¥4.1923
9,000:¥4.0341
参考库存:35082
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