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分立半导体
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R6009ENJTL

  • ROHM Semiconductor
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  • MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
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数量单价合计
1
¥18.8258
18.8258
10
¥15.9782
159.782
100
¥12.7577
1275.77
500
¥11.2209
5610.45
1,000
¥9.2999
9299.9
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
9 A
Rds On-漏源导通电阻
500 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
23 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
94 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
Super Junction-MOS EN
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
35 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
75 ns
典型接通延迟时间
25 ns
零件号别名
R6009ENJ
单位重量
2.200 g
商品其它信息
优势价格，R6009ENJTL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
3EZ62DE3/TR12
Microsemi
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8,000:¥4.8251
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Microsemi
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稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
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6,000:¥5.876
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SMBJ5956BE3/TR13
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
3,000:¥4.7912
6,000:¥4.6895
9,000:¥4.6104
参考库存:46906
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