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分立半导体
STD1NK80Z-1参考图片

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STD1NK80Z-1

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-Ch, 800V-13ohms 1A
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库存:17,389(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.5315
8.5315
10
¥7.232
72.32
100
¥5.5596
555.96
500
¥4.9155
2457.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
1 A
Rds On-漏源导通电阻
16 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.75 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
7.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
6.2 mm
长度
6.6 mm
系列
STQ1NK80ZR-AP
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2.4 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
0.8 S
下降时间
55 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STD1NK80Z-1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
PIN 二极管 PIN 35 V 100 mA
1:¥2.9945
10:¥2.0792
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.62263
参考库存:146000
分立半导体
桥式整流器 40A 1000V
1:¥33.0412
10:¥28.6568
50:¥23.2102
100:¥19.8993
500:¥16.7466
参考库存:1982
分立半导体
MOSFET N-Ch 60V 300mA SOT-363-6
1:¥2.7685
10:¥1.808
100:¥0.77631
1,000:¥0.5989
3,000:¥0.45313
参考库存:60709
分立半导体
稳压二极管 300mW Power DIS 0.9V If = 10mA
1:¥1.921
10:¥1.3108
100:¥0.54579
1,000:¥0.37629
10,000:¥0.25312
20,000:查看
参考库存:51026
分立半导体
稳流二极管 8.20 Curr Reg 50 PoV 500mW
1:¥46.104
10:¥41.1885
100:¥37.4934
250:¥33.8887
3,000:¥24.3628
参考库存:13708
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