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分立半导体
DMNH6021SPDQ-13参考图片

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DMNH6021SPDQ-13

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数量单价合计
1
¥8.8366
8.8366
10
¥7.4806
74.806
100
¥5.7517
575.17
500
¥5.0737
2536.85
1,000
¥4.0115
4011.5
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI5060-C-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
8.2 A
Rds On-漏源导通电阻
15 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
20.1 nC, 20.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
2.8 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
5.4 ns, 5.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns, 6 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14.2 ns, 14.2 ns
典型接通延迟时间
4.4 ns, 4.4 ns
单位重量
116 mg
商品其它信息
优势价格，DMNH6021SPDQ-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AUIRFU8405
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.65mOhm 100A
1:¥16.8257
10:¥14.2945
100:¥11.4469
500:¥9.9892
参考库存:13484
SBRT20M60SP5-7
Diodes Incorporated
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20A Trench SBR 60V 20A 0.57Vf 0.18mA
1:¥6.5314
10:¥5.5822
100:¥4.2827
500:¥3.7855
1,000:¥2.9945
1,500:¥2.9945
参考库存:12546
NTMFS4C03NT1G
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
1:¥6.5314
10:¥5.5935
100:¥4.3053
500:¥3.8081
1,500:¥2.6555
9,000:查看
参考库存:42993
MA4P4001B-402
MACOM
分立半导体
PIN 二极管
1:¥94.2872
10:¥88.14
25:¥82.377
50:¥76.9982
参考库存:5415
MMBTA55LT1G
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 60V PNP
1:¥1.6159
10:¥1.4238
100:¥0.49946
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:331497
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