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分立半导体
FF450R07ME4_B11参考图片

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FF450R07ME4_B11

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数量单价合计
1
¥1,086.3594
1086.3594
5
¥1,065.0024
5325.012
10
¥1,015.3615
10153.615
25
¥994.0045
24850.1125
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
在25 C的连续集电极电流
560 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
1450 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
6
子类别
IGBTs
零件号别名
FF450R07ME4B11BOSA1 SP000725482
商品其它信息
优势价格,FF450R07ME4_B11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET BUK7M19-60E/MLFPAK/REEL 7" Q1/
1:¥4.8364
10:¥4.0002
100:¥2.4408
1,000:¥1.8871
1,500:¥1.6046
参考库存:10901
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE SMF DO219-HE3
1:¥3.616
10:¥2.8024
100:¥2.0792
500:¥1.7063
3,000:¥1.1978
6,000:查看
参考库存:3568
分立半导体
肖特基二极管与整流器 70V 1.0mA 0.41Vf 0.10uA Schottky
1:¥3.5369
10:¥2.9606
100:¥1.808
1,000:¥1.4012
3,000:¥1.1865
参考库存:21420
分立半导体
JFET N-Ch -40V JFET 50mA 300mW 1.7mW Audio
1:¥84.298
10:¥69.0769
100:¥57.3249
500:¥52.2512
参考库存:2262
分立半导体
稳压二极管 Pd 500mW Iz(mA) Vz(V) 16.82-17.7
1:¥2.6894
10:¥1.8758
100:¥0.78422
1,000:¥0.53788
3,000:¥0.42262
参考库存:25859
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