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分立半导体
SIHG22N50D-GE3参考图片

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SIHG22N50D-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
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库存:5,011(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥37.5725
37.5725
10
¥31.1202
311.202
100
¥25.6623
2566.23
250
¥24.8148
6203.7
500
¥22.2836
11141.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
22 A
Rds On-漏源导通电阻
230 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
49 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
312 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
系列
D
宽度
5.31 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
42 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
47 ns
典型接通延迟时间
21 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,SIHG22N50D-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 0.20W, VR=2.4V
1:¥2.6894
10:¥1.7176
100:¥0.77631
1,000:¥0.49155
4,000:¥0.37629
参考库存:22782
分立半导体
整流器 50Vrm 30Ifsm 1.1V 1000V 700Vrms 1000V
3,000:¥0.43053
9,000:¥0.36838
24,000:¥0.34578
45,000:¥0.32318
99,000:¥0.28476
参考库存:25287
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor Hfe 200-400
1:¥3.2996
10:¥2.9945
100:¥1.9775
1,000:¥0.66105
4,000:¥0.54579
8,000:查看
参考库存:25292
分立半导体
稳压二极管 VZ=3.0V, 5mA
1:¥3.4578
10:¥1.9323
100:¥0.92208
1,000:¥0.63732
2,500:¥0.48364
参考库存:25297
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Trench Schottky SMD 3amp 60v
1:¥3.616
10:¥2.8476
100:¥1.9323
500:¥1.3334
1,800:¥0.88366
3,600:查看
参考库存:25302
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