您好!欢迎来到隆乾胜芯城 登录 注册

产品分类

分立半导体
2SK3756(TE12L,F)参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

2SK3756(TE12L,F)

  • Toshiba
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 7V VDSS
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • *联系人:
  • *电话:
  • QQ:
  • *邮箱:
 公司名:  微信:
库存:7,890(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.9046
12.9046
10
¥10.3734
103.734
100
¥8.2942
829.42
500
¥7.2546
3627.3
1,000
¥6.0116
6011.6
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 A
Vds-漏源极击穿电压
7.5 V
增益
12 dB
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PW-Mini-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
470 MHz
系列
2SK3756
类型
RF Power MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
3 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
3 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.95 V
单位重量
50 mg
商品其它信息
优势价格,2SK3756(TE12L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur Power
1:¥5.763
10:¥4.7912
100:¥3.0962
1,000:¥2.486
参考库存:2374
分立半导体
稳压二极管 5W 19V
1:¥6.6896
10:¥5.1528
100:¥4.4861
250:¥3.9098
3,000:¥2.3391
6,000:查看
参考库存:31546
分立半导体
整流器 1300 Volt 1.0A 75ns Glass Passivated
1:¥4.6104
10:¥3.6838
100:¥2.8024
500:¥2.3052
6,500:¥1.5594
13,000:查看
参考库存:34188
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 0.1A 47kO SOT-23
1:¥2.3052
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
3,000:¥0.33787
参考库存:31690
分立半导体
IGBT 晶体管 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
1:¥39.1884
10:¥33.3463
100:¥28.8941
250:¥27.4364
参考库存:3942
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市隆乾胜科技有限公司

电话:0755-82331103

手机:13048971103

传真:0755-82331102

Email:1531762882@qq.com

Q Q:

地址:深圳市福田区南园路66号佳兆业中心B座2F


微信联系我们

Copyright © 2010-2021 深圳市隆乾胜科技有限公司 粤ICP备2021106032号