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分立半导体
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HGT1S10N120BNST

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数量单价合计
1
¥20.9728
20.9728
10
¥17.8314
178.314
100
¥15.4471
1544.71
250
¥14.6787
3669.675
800
¥11.0627
8850.16
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263AB-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
35 A
Pd-功率耗散
298 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HGT1S10N120BNS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
35 A
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
宽度
9.65 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
55 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
800
子类别
IGBTs
单位重量
1.312 g
商品其它信息
优势价格,HGT1S10N120BNST的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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