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分立半导体
RFM01U7P(TE12L,F)参考图片

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RFM01U7P(TE12L,F)

  • Toshiba
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 3W 20V
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数量单价合计
1
¥19.8993
19.8993
10
¥16.0573
160.573
100
¥12.8368
1283.68
500
¥11.30
5650
1,000
¥9.379
9379
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 A
Vds-漏源极击穿电压
20 V
增益
10.8 dB
输出功率
1.2 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PW-Mini-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
520 MHz
系列
RFM01
类型
RF Power MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
3 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
单位重量
50 mg
商品其它信息
优势价格,RFM01U7P(TE12L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥3,957.26
10:¥3,780.528
参考库存:42347
分立半导体
双向可控硅 600V 10A 50-50-50mA
1:¥20.3626
10:¥16.4415
100:¥13.1419
500:¥11.30
1,000:¥9.2999
参考库存:42352
分立半导体
整流器 600 Volt 150 Amp
25:¥256.6456
50:¥248.5774
100:¥240.5883
250:¥224.5988
参考库存:42357
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SBR Diode
1:¥3.6838
10:¥2.7911
100:¥1.5142
1,000:¥1.1413
3,000:¥0.97632
9,000:¥0.91417
参考库存:18962
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN hFE 400 to 1000 VCE 0.12V tF 45ns
1:¥3.6838
10:¥2.7007
100:¥1.695
1,000:¥1.2656
3,000:¥1.08367
参考库存:42364
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