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分立半导体

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DF400R12KE3

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1
¥1,102.428
1102.428
5
¥1,080.7546
5403.773
10
¥1,030.3453
10303.453
25
¥1,008.751
25218.775
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
在25 C的连续集电极电流
580 A
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
DF400R12KE3HOSA1 SP000100792
商品其它信息
优势价格，DF400R12KE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
05A4-W
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100:¥621.4096
参考库存:53790
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