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分立半导体
NJVNJD35N04T4G参考图片

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NJVNJD35N04T4G

  • ON Semiconductor
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  • 达林顿晶体管 NPN DARLINGTON Pwr TRAN
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6.3054
10
¥5.2319
52.319
100
¥3.3787
337.87
1,000
¥2.7007
2700.7
2,500
¥2.2826
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
是
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
350 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
700 V
最大集电极截止电流
250 uA
Pd-功率耗散
45 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DPAK
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NJD35N04
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
2000
增益带宽产品fT
90 MHz
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
260.400 mg
商品其它信息
优势价格，NJVNJD35N04T4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZD27B36P-HE3-18
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