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分立半导体
MJD200T4G参考图片

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MJD200T4G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 5A 25V 12.5W NPN
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数量单价合计
1
¥4.2262
4.2262
10
¥3.4917
34.917
100
¥2.1357
213.57
1,000
¥1.6498
1649.8
2,500
¥1.4012
3503
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
25 V
集电极—基极电压 VCBO
40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
8 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
最大直流电集电极电流
5 A
增益带宽产品fT
65 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJD200
高度
2.38 mm
长度
6.73 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
70
Pd-功率耗散
12.5 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
1 g
商品其它信息
优势价格，MJD200T4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRFL014TRPBF
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp
1:¥6.4523
10:¥5.6839
100:¥4.3844
500:¥3.2544
1,000:¥2.599
2,500:¥2.2826
参考库存:133533
IRLR120PBF
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRLR120
1:¥9.831
10:¥8.0682
100:¥6.1698
500:¥5.311
参考库存:17330
BYV79E-200,127
WeEn Semiconductors
分立半导体
整流器 RECT UFAST 200VAC
1:¥8.2264
10:¥6.7122
100:¥5.1528
500:¥4.5539
参考库存:24692
BAT54L,315
Nexperia
分立半导体
肖特基二极管与整流器 DIODE SCHOTTKY TAPE-7
1:¥2.8476
10:¥1.808
100:¥0.78422
1,000:¥0.5989
10,000:¥0.4068
20,000:查看
参考库存:1255349
FDD3860
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET 100V N-Channel Power Trench
1:¥8.7575
10:¥7.4241
100:¥5.7065
500:¥5.0398
2,500:¥3.5256
10,000:查看
参考库存:22221
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