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分立半导体
CSD19533KCS参考图片

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CSD19533KCS

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET 100V 8.7mOhm N-CH Pwr MOSFET
  • 数据手册下载
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库存：15,550(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.9102
11.9102
10
¥10.0683
100.683
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.0625
3531.25
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
10.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
27 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
188 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Tube
高度
16.51 mm
长度
10.67 mm
系列
CSD19533KCS
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
115 S
下降时间
2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
7 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，CSD19533KCS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-SD400N20PC
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 2000 Volt 400 Amp
1:¥794.1414
5:¥769.5526
10:¥744.5005
25:¥719.6857
参考库存:1899
CDLL961B
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1:¥32.657
10:¥26.2838
100:¥23.8995
250:¥21.5943
参考库存:3406
IPD95R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET 950 V CoolMOS P7
2,500:¥3.503
10,000:¥3.3787
25,000:¥3.2657
参考库存:49088
SS3P4L-M3/87A
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 3.0 Amp 40 Volt
1:¥4.9946
10:¥3.8307
100:¥2.8476
500:¥2.3391
6,500:¥1.5481
13,000:查看
参考库存:34383
V3P6-M3/85A
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 3A,60V,TRENCH SKY RECT.
1:¥3.6838
10:¥2.5086
100:¥1.695
500:¥1.356
10,000:¥0.82264
参考库存:35730
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