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分立半导体
BFS 483 H6327参考图片

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BFS 483 H6327

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥4.9155
4.9155
10
¥4.1132
41.132
100
¥2.6555
265.55
1,000
¥2.1244
2124.4
3,000
¥2.1244
6373.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFS483
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
70
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
65 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
8 GHz
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Infineon Technologies
最大直流电集电极电流
65 mA
Pd-功率耗散
450 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFS483H6327XT BFS483H6327XTSA1 SP000750464
单位重量
6 mg
商品其它信息
优势价格，BFS 483 H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ZXMS6005DGTA
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET 60V N-Ch Intellifet 200mohm 2A 490mJ
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
参考库存:57071
IRFI4227PBF
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET MOSFT 200V 26A 22mOhm 73nC
1:¥20.7468
10:¥17.5941
100:¥14.0572
500:¥12.2944
1,000:¥10.2152
参考库存:7688
FP50R12KE3
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 1200V 50A PIM
1:¥893.265
5:¥875.75
10:¥834.8666
25:¥817.3516
参考库存:2920
VS-T40HF60
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 600 Volt 40 Amp
1:¥203.0158
5:¥193.8628
10:¥187.7947
25:¥172.5849
参考库存:3412
IRFI1010NPBF
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET MOSFT 55V 44A 12mOhm 86.7nC
1:¥13.3679
10:¥11.30
100:¥9.0626
500:¥7.91
1,000:¥6.5879
参考库存:12779
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