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分立半导体
BSO211P H参考图片

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BSO211P H

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数量单价合计
1
¥7.6049
7.6049
10
¥6.4975
64.975
100
¥4.9946
499.46
500
¥4.407
2203.5
1,000
¥3.4804
3480.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
4.6 A
Rds On-漏源导通电阻
54 mOhms, 54 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
- 10 nC, - 10 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
BSO211
晶体管类型
2 P-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
8 S, 8 S
下降时间
27 ns, 27 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns, 13 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns, 23 ns
典型接通延迟时间
9 ns, 9 ns
零件号别名
BSO211PHXUMA1 SP000613844
商品其它信息
优势价格,BSO211P H的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10:¥1.1413
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10:¥2.0453
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1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:20105
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