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分立半导体
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IPB35N10S3L-26

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数量单价合计
1
¥11.30
11.3
10
¥9.6841
96.841
100
¥7.4354
743.54
500
¥6.5766
3288.3
1,000
¥5.198
5198
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
35 A
Rds On-漏源导通电阻
20.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
39 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
71 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS-T
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
6 ns
零件号别名
IPB35N10S3L26ATMA1 IPB35N1S3L26XT SP000776044
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPB35N10S3L-26的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI6413DQ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 20V 8.8A 1.5W 10mohm @ 4.5V
3,000:¥7.1642
6,000:¥6.9043
9,000:¥6.6331
参考库存:42394
1N4733APE3/TR12
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
4,000:¥5.0059
8,000:¥4.8025
参考库存:42399
1N4733PE3/TR12
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
4,000:¥5.0059
8,000:¥4.8251
参考库存:42404
VS-6EWX06FNHM3
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 6 Amp 600 Volt
3,000:¥6.3054
6,000:¥6.0681
12,000:¥5.8421
参考库存:42409
VS-85HFL40S02M
Vishay / Siliconix
分立半导体
整流器 Diodes - DO5 BRAZ SQR-e3
100:¥167.9745
300:¥154.1433
500:¥146.6853
参考库存:42414
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