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分立半导体
IPB029N06N3 G参考图片

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IPB029N06N3 G

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数量单价合计
1
¥13.5261
13.5261
10
¥11.526
115.26
100
¥9.2208
922.08
500
¥8.0682
4034.1
1,000
¥6.6896
6689.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
2.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
165 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
188 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
75 S
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
120 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
62 ns
典型接通延迟时间
35 ns
零件号别名
IPB029N06N3GATMA1 IPB29N6N3GXT SP000453052
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,IPB029N06N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
SCR Schottky Barrier Diode
1:¥4.9155
10:¥4.5878
100:¥4.1245
1,000:¥3.7516
参考库存:3093
分立半导体
稳压二极管 5.1V 300MW ZENER DIODE
1:¥2.3052
10:¥1.4803
100:¥0.66896
1,000:¥0.42262
3,000:¥0.32318
参考库存:16970
分立半导体
整流器 Standard 200V 1A
1:¥4.1471
10:¥2.3278
100:¥1.2543
500:¥0.99892
2,500:¥0.58421
10,000:查看
参考库存:16172
分立半导体
稳压二极管 Power Zeners Trankillers
1:¥6.7574
10:¥6.1472
100:¥5.5822
500:¥4.8138
参考库存:2859
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS NPN 100V 2A DPAK
1:¥5.0737
10:¥3.729
100:¥2.7685
500:¥2.3391
2,500:¥1.6046
5,000:查看
参考库存:14076
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