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分立半导体
TSM3N90CZ C0G参考图片

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TSM3N90CZ C0G

  • Taiwan Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET MOSFET, Single, N-Ch Planar, 900V, 2.5A
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数量单价合计
1
¥10.3734
10.3734
10
¥9.2208
92.208
100
¥7.2659
726.59
500
¥5.6387
2819.35
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
900 V
Id-连续漏极电流
2.5 A
Rds On-漏源导通电阻
4.3 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
17 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
94 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
N-Channel Power MOSFET
商标
Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值
3 S
下降时间
31 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
63 ns
典型接通延迟时间
16 ns
商品其它信息
优势价格,TSM3N90CZ C0G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP BJT NPN 30V 1A 5PIN
1:¥4.2262
10:¥3.4917
100:¥2.1357
1,000:¥1.6498
3,000:¥1.4012
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1:¥2.9945
10:¥2.147
100:¥1.2317
1,000:¥0.89948
1,500:¥0.77631
9,000:¥0.72998
参考库存:32669
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil
1:¥5.2997
10:¥4.3957
100:¥2.8363
1,000:¥2.2713
参考库存:5961
分立半导体
MOSFET N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP
1:¥83.3714
10:¥75.3032
25:¥71.8454
100:¥62.3986
参考库存:4013
分立半导体
SCR 25 Amp 800 Volt
1:¥20.3626
10:¥17.3681
100:¥15.0629
250:¥14.2945
参考库存:5685
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