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分立半导体
TSM051N04LCP ROG参考图片

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TSM051N04LCP ROG

  • Taiwan Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET MOSFET, Single, N-Ch Trench, 40V, 96A
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数量单价合计
1
¥8.2942
8.2942
10
¥7.2998
72.998
100
¥5.7969
579.69
500
¥4.4974
2248.7
2,500
¥3.2092
8023
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
96 A
Rds On-漏源导通电阻
4.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
44.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
89 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值
38 S
下降时间
11 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
6 ns
商品其它信息
优势价格，TSM051N04LCP ROG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIHD7N60E-GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
1:¥15.4471
10:¥12.8368
100:¥9.9101
500:¥8.6784
参考库存:9584
BCX41TA
Diodes Incorporated
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) General Purpose Transistor SOT23 T&R 3K
1:¥2.9945
10:¥1.9436
100:¥0.83733
1,000:¥0.63732
3,000:¥0.48364
参考库存:83281
IRFZ44NSTRLPBF
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET MOSFT 55V 49A 17.5mOhm 42nC
1:¥10.5316
10:¥8.9948
100:¥6.9269
500:¥6.1133
800:¥4.8364
参考库存:7243
FMMT489TA
Diodes Incorporated
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power
1:¥3.2996
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
9,000:¥0.83733
参考库存:46275
BAT 63-02V H6327
Infineon Technologies
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 RF DIODE
1:¥3.2996
10:¥2.5086
100:¥1.356
1,000:¥1.02152
3,000:¥0.88366
9,000:¥0.82264
参考库存:63277
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