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分立半导体
ZTX855STZ参考图片

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ZTX855STZ

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Big Chip SELine
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数量单价合计
1
¥7.7631
7.7631
10
¥6.667
66.67
100
¥5.1302
513.02
500
¥4.5313
2265.65
1,000
¥3.5708
3570.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
150 V
集电极—基极电压 VCBO
250 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
210 mV
最大直流电集电极电流
4 A
增益带宽产品fT
90 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZTX855
高度
4.01 mm
长度
4.77 mm
封装
Bulk
宽度
2.41 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
4 A
Pd-功率耗散
1.2 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格，ZTX855STZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZY55B3V3 RYG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 500mW 2% 3v3
30,000:¥0.2147
45,000:¥0.20001
100,000:¥0.17628
参考库存:53720
GBPC3501T
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 100 V - 35 A
1,000:¥18.7467
2,500:¥17.8314
5,000:¥16.7466
参考库存:53725
MSRT100100(A)D
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 1000V 100A Forward
50:¥389.4206
100:¥384.2791
250:¥362.843
参考库存:53730
1PGSMA200ZHM2G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管
7,500:¥0.69947
参考库存:53735
1SMA4752HR2G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 1W, 33V, 5% ZENER DIODE, SMA
1:¥4.2262
10:¥2.9945
100:¥1.7854
1,000:¥0.75258
7,500:¥0.52206
22,500:查看
参考库存:53740
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