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分立半导体
TPH14006NH,L1Q参考图片

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TPH14006NH,L1Q

  • Toshiba
  • 最新
  • MOSFET U-MOSVIII-H 60V 34A 16nC MOSFET
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数量单价合计
1
¥8.0682
8.0682
10
¥6.4523
64.523
100
¥4.9607
496.07
500
¥4.3844
2192.2
5,000
¥3.0623
15311.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOP-Advance-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
34 A
Rds On-漏源导通电阻
11 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
16 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
32 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.95 mm
长度
5 mm
系列
TPH14006NH
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Toshiba
下降时间
5.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
18 ns
单位重量
851 mg
商品其它信息
优势价格，TPH14006NH,L1Q的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STP18N65M2
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
1:¥15.368
10:¥13.0628
100:¥10.4525
500:¥9.1417
参考库存:7128
GBPC12005-E4/51
Vishay Semiconductors
分立半导体
桥式整流器 12 Amp 50 Volt
1:¥33.8096
10:¥28.0466
100:¥23.052
200:¥22.3627
参考库存:4775
MBRS10H100CT RN
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 10 Amp 100 Volt Dual
1:¥7.7631
10:¥6.8365
25:¥6.2037
100:¥5.4353
800:¥3.3222
2,400:查看
参考库存:7497
KBL405G T0
Taiwan Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 4.0 Amp 600 Volt 150 Amp IFSM
1:¥7.7631
10:¥7.1416
100:¥5.4918
500:¥4.068
参考库存:9949
SF38G R0
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 3.0 Amp 600V 35ns
1:¥4.0002
10:¥3.3787
100:¥2.5312
500:¥1.8645
1,250:¥1.4012
2,500:¥1.2882
参考库存:12136
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