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分立半导体
IPB031NE7N3 G参考图片

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IPB031NE7N3 G

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数量单价合计
1
¥22.6678
22.6678
10
¥19.2891
192.891
100
¥16.7466
1674.66
250
¥15.8313
3957.825
1,000
¥11.9893
11989.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
2.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
117 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
214 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
75 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
85 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
IPB031NE7N3GATMA1 IPB31NE7N3GXT SP000641730
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPB031NE7N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 600V 16A Ultrafast
1:¥11.6842
10:¥9.9101
100:¥7.6614
500:¥6.78
800:¥5.3449
参考库存:11020
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 DIGIT NPN 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:670762
分立半导体
MOSFET N-CH 250V HEXFET MOSFET
1:¥19.9784
10:¥16.2155
100:¥14.8256
500:¥11.6051
1,000:¥9.605
参考库存:18294
分立半导体
肖特基二极管与整流器 3.0A 40V LF
1:¥7.6049
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
5,000:¥3.4578
参考库存:1606
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR TRANSISTOR
1:¥24.8148
10:¥21.131
100:¥18.2834
250:¥17.3681
2,500:¥12.5204
5,000:查看
参考库存:25923
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