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分立半导体
BSZ086P03NS3GXT参考图片

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BSZ086P03NS3GXT

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • MOSFET P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3
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数量单价合计
1
¥6.0681
6.0681
10
¥5.0624
50.624
100
¥3.2657
326.57
1,000
¥2.6103
2610.3
5,000
¥2.2035
11017.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
6.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
57.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
69 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
30 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
46 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
BSZ086P03NS3 BSZ086P03NS3GATMA1 G SP000473024
商品其它信息
优势价格，BSZ086P03NS3GXT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STPS3H100UFY
STMicroelectronics
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Automotive high voltage power Schottky rectifier
1:¥3.6838
10:¥2.7572
100:¥1.5029
1,000:¥1.12209
参考库存:201818
NVMFS5A160PLZT1G
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET -60V7.7MOHMSINGLE
1:¥22.4418
10:¥19.0518
100:¥15.2098
500:¥13.2888
1,500:¥10.2943
4,500:查看
参考库存:25045
P0111DA 1AA3
STMicroelectronics
分立半导体
SCR 0.8 Amp 400 Volt
1:¥3.1527
10:¥2.6103
100:¥1.5933
1,000:¥1.2317
参考库存:19812
BSC066N06NS
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥8.8366
10:¥7.571
100:¥5.8082
500:¥5.1415
5,000:¥3.5934
10,000:查看
参考库存:21874
FDS6375
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET SO-8 P-CH -20V
1:¥6.3054
10:¥5.1754
100:¥3.3448
1,000:¥2.6781
2,500:¥2.26
参考库存:35246
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