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分立半导体
IKW60N60H3FKSA1参考图片

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IKW60N60H3FKSA1

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数量单价合计
1
¥65.314
65.314
10
¥59.0086
590.086
25
¥56.2514
1406.285
100
¥48.8725
4887.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
416 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW60N60H3 IKW6N6H3XK SP000919762
商品其它信息
优势价格,IKW60N60H3FKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET NFET SO8FL 30V 46A 6.95MO
1,500:¥1.8984
3,000:¥1.8984
9,000:¥1.8306
24,000:¥1.7628
49,500:¥1.7289
参考库存:27564
分立半导体
稳压二极管 Uni-direc 40W Pppm SMA (DO-214AC)
1:¥3.616
10:¥2.4182
100:¥1.6385
500:¥1.3108
6,000:¥0.85315
12,000:查看
参考库存:27569
分立半导体
IGBT 晶体管 IGNITION IGBT 15 A, 410 V
1:¥10.0683
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
1,000:¥5.1302
2,500:¥5.1302
参考库存:27574
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥4.3844
10:¥3.6951
100:¥2.3843
1,000:¥1.9097
3,000:¥1.9097
参考库存:27579
分立半导体
MOSFET NFET SO8FL 30V 155A 2.1MO
1:¥11.9893
10:¥10.2152
100:¥7.8422
500:¥6.9382
5,000:¥4.859
10,000:查看
参考库存:27584
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