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分立半导体
FP75R07N2E4参考图片

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FP75R07N2E4

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库存:2,976(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥696.1704
696.1704
5
¥683.4127
3417.0635
10
¥652.5976
6525.976
25
¥630.8564
15771.41
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
在25 C的连续集电极电流
75 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
250 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FP75R07N2E4BOSA1 SP000843284
商品其它信息
优势价格,FP75R07N2E4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 10V 200mW
1:¥1.5368
10:¥1.09836
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:114535
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30V VR 15A 0.55 VF TO-263S(D2PAK);SC-83
1:¥11.3678
10:¥9.6841
100:¥7.4128
500:¥6.554
1,000:¥5.1754
参考库存:8142
分立半导体
MOSFET N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7
1:¥150.4482
5:¥148.9114
10:¥138.7753
25:¥132.549
参考库存:4254
分立半导体
IGBT 晶体管 PTD HIGH VOLTAGE
1:¥42.262
10:¥35.9566
100:¥31.1202
250:¥29.5043
500:¥26.5098
参考库存:6121
分立半导体
MOSFET N-Ch 60V 280mA SOT-323-3
1:¥2.6894
10:¥1.7402
100:¥0.7458
1,000:¥0.5763
10,000:¥0.39211
20,000:查看
参考库存:152888
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