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分立半导体
ZXTN2010ASTZ参考图片

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ZXTN2010ASTZ

  • Diodes Incorporated
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V NPN Low Sat
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数量单价合计
1
¥7.2207
7.2207
10
¥6.2037
62.037
100
¥4.7686
476.86
500
¥4.2149
2107.45
1,000
¥3.3222
3322.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
E-Line-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
150 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
最大直流电集电极电流
4.5 A
增益带宽产品fT
130 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXTN201
高度
4.01 mm
长度
4.77 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
2.41 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
4.5 A
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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20,000:¥0.65314
50,000:¥0.58421
100,000:¥0.53788
参考库存:53116
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6,000:¥1.3334
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20,000:¥0.43844
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