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分立半导体
TK7P60W5,RVQ参考图片

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TK7P60W5,RVQ

  • Toshiba
  • 最新
  • MOSFET DTMOSIV 600V 600mOhm DPKw/Hgh Speed Diode
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数量单价合计
1
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12.5995
10
¥10.1474
101.474
100
¥7.7631
776.31
500
¥6.8365
3418.25
2,000
¥4.7912
9582.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
540 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
16 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
TK7P60W5
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
40 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
60 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
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