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分立半导体
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BTS247ZE3062AATMA2

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1
¥26.894
26.894
10
¥22.8938
228.938
100
¥19.8202
1982.02
250
¥18.8258
4706.45
1,000
¥14.2945
14294.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-5
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
55 V
Id-连续漏极电流
19 A
Rds On-漏源导通电阻
18 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
60 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
120 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
BTS247
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
10 S
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
BTS247Z E3062A SP000910846
单位重量
1.600 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SR1203 R0
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24,000:¥0.82264
45,000:¥0.791
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9,000:¥0.89157
24,000:¥0.82264
45,000:¥0.791
99,000:¥0.76049
参考库存:28709
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