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分立半导体
STGW40H65FB参考图片

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STGW40H65FB

  • STMicroelectronics
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  • IGBT 晶体管 650V 40A Trench Gate Field-Stop IGBT
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库存:4,004(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥43.4937
43.4937
10
¥36.9623
369.623
100
¥32.0468
3204.68
250
¥30.4309
7607.725
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
283 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW40H65FB
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
40 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STGW40H65FB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 Vr/200V Io/1A Trim Leads
1:¥3.6838
10:¥2.0453
100:¥1.09836
500:¥0.87575
3,000:¥0.56839
6,000:查看
参考库存:87018
分立半导体
MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level
1:¥6.8365
10:¥5.7743
100:¥4.4409
500:¥3.9211
1,000:¥3.0962
2,500:¥3.0962
参考库存:25155
分立半导体
MOSFET SW MOSFET MIDDLE PWR N-CH 30V2.5A
1:¥5.6839
10:¥4.6895
100:¥3.0284
1,000:¥2.4295
3,000:¥2.0453
参考库存:17607
分立半导体
肖特基二极管与整流器 5A, 150V Schottky , Schottky ,
1:¥5.0737
10:¥3.729
100:¥2.9832
500:¥2.3391
10,000:¥1.5029
20,000:查看
参考库存:33959
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 100mA Complementary 50V NPN & PNP
1:¥1.921
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
3,000:¥0.29154
参考库存:139416
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