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分立半导体
MJW21195G参考图片

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MJW21195G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 16A 250V 200W PNP
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数量单价合计
1
¥30.5778
30.5778
10
¥25.9674
259.674
100
¥22.5096
2250.96
250
¥21.357
5339.25
500
¥19.21
9605
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
250 V
集电极—基极电压 VCBO
400 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
1 V
最大直流电集电极电流
16 A
增益带宽产品fT
4 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJW21195
高度
21.08 mm (Max)
长度
16.26 mm (Max)
封装
Tube
宽度
5.3 mm (Max)
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
16 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
Pd-功率耗散
200 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
30
子类别
Transistors
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,MJW21195G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5N
1:¥88.2869
10:¥79.7554
25:¥69.5402
100:¥66.0824
1,000:¥48.6352
参考库存:6911
分立半导体
MOSFET N-channel 650 V, 0.6 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
1:¥15.0629
10:¥12.7577
100:¥10.2152
500:¥8.9948
2,500:¥6.8817
5,000:查看
参考库存:16608
分立半导体
MOSFET P-CH NexFET Pwr MOSFET
1:¥4.5313
10:¥3.7629
100:¥2.4295
1,000:¥1.9436
3,000:¥1.6498
9,000:查看
参考库存:6195
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-7
1:¥2.8476
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
4,000:¥0.59212
参考库存:284402
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 300V PNP
1:¥1.5368
10:¥1.3786
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:352874
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