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分立半导体
IRFZ20PBF参考图片

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IRFZ20PBF

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 60V HEXFET MOSFET
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库存:6,943(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.6787
14.6787
10
¥12.2153
122.153
100
¥9.4468
944.68
500
¥8.2942
4147.1
1,000
¥6.8478
6847.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
100 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
12 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
40 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
IRFZ
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
5 S
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
45 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRFZ20PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20A,100V,DUAL SCHOTTKY RECTIFIER HIGH TEMP
2,000:¥3.5934
4,000:¥3.4239
参考库存:53484
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Hi IO Rating Module Low VF
25:¥408.4837
50:¥398.4154
100:¥393.4999
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肖特基二极管与整流器 SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 45P/32R
50:¥389.4206
100:¥384.2791
250:¥362.843
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 50 W Avg., 48 V
250:¥892.8808
参考库存:53499
分立半导体
稳流二极管 100V 5.75mA
3,500:¥23.3571
参考库存:53504
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