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分立半导体
SSM3K36MFV,L3F参考图片

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SSM3K36MFV,L3F

  • Toshiba
  • 最新
  • MOSFET Small-signal FET 0.5A 20V 46pF 1.52
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数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥1.9436
19.436
100
¥0.83733
83.733
1,000
¥0.63732
637.32
8,000
¥0.43053
3444.24
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-723-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
500 mA
Rds On-漏源导通电阻
630 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
350 mV
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
Qg-栅极电荷
1.23 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
150 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.5 mm
长度
1.2 mm
系列
SSM3K36
晶体管类型
1 N-channel
宽度
0.8 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
8000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
75 ns
典型接通延迟时间
30 ns
商品其它信息
优势价格，SSM3K36MFV,L3F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CDLL4120/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
1:¥43.0304
10:¥34.578
100:¥31.5835
200:¥28.5099
500:¥25.5832
参考库存:57241
1N821/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥29.4252
242:¥29.4252
500:¥26.4307
1,000:¥22.2836
2,500:¥21.2101
参考库存:57246
JAN1N3029B-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥69.4611
113:¥69.4611
200:¥63.8563
500:¥58.2402
1,000:¥50.7144
参考库存:57251
1N5926C
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
157:¥45.5616
250:¥41.8778
500:¥38.1149
1,000:¥33.2672
参考库存:57256
JAN1N963CUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥89.5977
200:¥81.6764
500:¥76.4558
1,000:¥70.0826
参考库存:57261
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