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分立半导体
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TGF2018

  • Qorvo
  • 最新
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 14dB NF 1dB P1dB 22dBm
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数量单价合计
100
¥44.7932
4479.32
300
¥41.8778
12563.34
500
¥39.1093
19554.65
1,000
¥36.5781
36578.1
2,500
¥36.4199
91049.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
pHEMT
技术
GaAs
增益
14 dB
Vds-漏源极击穿电压
8 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 15 V
Id-连续漏极电流
58 mA
最大漏极/栅极电压
12 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
640 mW
安装风格
SMD/SMT
封装
Gel Pack
配置
Single
工作频率
20 GHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
产品
RF JFET
系列
TGF
类型
GaAs pHEMT
商标
Qorvo
正向跨导 - 最小值
70 mS
NF—噪声系数
1 dB
P1dB - 压缩点
22 dBm
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
1098412
商品其它信息
优势价格，TGF2018的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STD11N65M5
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmesh M5 MOS
1:¥16.2946
10:¥13.8312
100:¥11.0627
500:¥9.7632
2,500:¥7.4806
5,000:查看
参考库存:16226
2N4029
Central Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
1:¥17.289
10:¥15.368
100:¥12.2944
500:¥10.8367
参考库存:11148
SI2305CDS-T1-GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET -8V Vds 8V Vgs SOT-23
1:¥3.7629
10:¥2.5538
100:¥1.7289
500:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥1.03734
参考库存:223515
NTTFS5116PLTWG
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET PFET U8FL 60V
1:¥6.2263
10:¥5.1528
100:¥3.3222
1,000:¥2.6555
5,000:¥2.2487
参考库存:126322
DFLZ39-7
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 1.0W 39V
1:¥3.5369
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.10627
3,000:¥0.95259
9,000:¥0.89157
参考库存:44869
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