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分立半导体
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IPB100N08S2L-07

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数量单价合计
1
¥21.2101
21.2101
10
¥17.9783
179.783
100
¥14.3736
1437.36
500
¥12.5995
6299.75
1,000
¥10.4525
10452.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
6.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
246 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
56 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
85 ns
典型接通延迟时间
19 ns
零件号别名
IPB100N08S2L07ATMA1 IPB1N8S2L7XT SP000219053
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPB100N08S2L-07的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZD17C180P R2
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 0,8W, 180V, ZENER
7,500:¥0.82264
参考库存:32597
SFA1002GHC0
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 10A, 100V, 35NS, SINGLE RECTIFIER
2,000:¥3.3109
4,000:¥3.2431
10,000:¥2.9719
24,000:¥2.8589
参考库存:32602
1N4754A BK
Central Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 39Vz 60 Ohm 5uA 29.7Vr 115mA 1.0W pD
10,000:¥0.73789
24,000:¥0.67574
50,000:¥0.65314
100,000:¥0.63054
参考库存:32607
ES1A F2G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 1A, 50V, SUPER FAST SM RECTIFIER
15,000:¥0.75258
22,500:¥0.67574
45,000:¥0.5989
97,500:¥0.49946
参考库存:32612
SS13L R2G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 1A,30V, SMF SCHOTTKY RECTIFIER
15,000:¥0.43053
22,500:¥0.4068
参考库存:32617
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