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分立半导体
SSM3K56FS,LF参考图片

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SSM3K56FS,LF

  • Toshiba
  • 最新
  • MOSFET N-Ch U-MOSVI FET ID 0.8A 20VDSS 55pF
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1
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3.2996
10
¥1.8306
18.306
100
¥0.78422
78.422
1,000
¥0.60681
606.81
3,000
¥0.46104
1383.12
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-416-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
235 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
1 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.7 mm
长度
1.6 mm
系列
SSM3K56
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
0.8 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8.5 ns
典型接通延迟时间
5.5 ns
单位重量
6 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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309:¥23.052
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1,000:¥17.4472
2,500:¥16.5997
参考库存:38099
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