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分立半导体
SIHA12N60E-E3参考图片

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SIHA12N60E-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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数量单价合计
1
¥19.436
19.436
10
¥16.1364
161.364
100
¥12.5204
1252.04
500
¥10.9158
5457.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
380 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
29 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
33 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
19 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，SIHA12N60E-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NZH9V1B,115
Nexperia
分立半导体
稳压二极管 SINGLE ZENER DIODE
1:¥1.5368
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.23052
参考库存:46248
SBR20A200CTFP
Diodes Incorporated
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20A 200V
1:¥9.2999
10:¥7.91
100:¥6.0794
500:¥5.3675
1,000:¥4.2375
参考库存:2820
RSF014N03TL
ROHM Semiconductor
分立半导体
MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT3
1:¥4.1471
10:¥3.39
100:¥2.0679
1,000:¥1.5933
3,000:¥1.356
参考库存:30437
X0202MA 2BL2
STMicroelectronics
分立半导体
SCR 1.25 Amp 600 Volt
1:¥5.989
10:¥4.9607
100:¥3.1979
1,000:¥2.5538
2,000:¥2.1583
参考库存:44769
NZX4V3D,133
Nexperia
分立半导体
稳压二极管 SINGLE ZENER DIODE
1:¥1.5368
10:¥1.3334
100:¥0.47686
1,000:¥0.31527
10,000:¥0.20792
20,000:查看
参考库存:43371
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