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分立半导体
SIHF12N60E-GE3参考图片

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SIHF12N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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数量单价合计
1
¥21.6734
21.6734
10
¥17.9783
179.783
100
¥13.9894
1398.94
500
¥12.2153
6107.65
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
380 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
29 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
33 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
19 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,SIHF12N60E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 500mW 3.3V 1600 Ohm 25 uA 1 Vr
1:¥1.1526
10:¥0.9379
100:¥0.32996
1,000:¥0.23052
10,000:¥0.14577
20,000:查看
参考库存:33429
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 5A 50V
1:¥6.8365
10:¥5.8082
100:¥4.4635
700:¥3.955
1,400:¥3.1075
参考库存:12191
分立半导体
整流器 PWR 600 V 10 A
1:¥6.9947
10:¥5.763
100:¥4.4522
500:¥3.9211
参考库存:8133
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 Signal or Computer Diode
1:¥56.1723
10:¥50.1042
25:¥45.1096
100:¥41.1094
参考库存:3475
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 DIGITL NPN 50V 50MA SOT-323
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:38077
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