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分立半导体
APT150GT120JR参考图片

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APT150GT120JR

  • Microsemi
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  • IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency - Single
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库存:2,202(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥405.105
405.105
2
¥394.1101
788.2202
5
¥383.2056
1916.028
10
¥372.2898
3722.898
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.2 V
在25 C的连续集电极电流
170 A
栅极—射极漏泄电流
900 nA
Pd-功率耗散
830 W
封装 / 箱体
SOT-227-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
高度
9.6 mm
长度
38.2 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
25.4 mm
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
Thunderbolt IGBT, ISOTOP
单位重量
30 g
商品其它信息
优势价格,APT150GT120JR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 1.5W,11V,5%,ZENER,SMA
1:¥3.842
10:¥2.7685
100:¥1.6159
1,000:¥0.68365
7,500:¥0.47686
22,500:查看
参考库存:27778
分立半导体
稳压二极管 300mW SMD 5V6 dual Zener diode
1:¥2.9945
10:¥2.6894
100:¥1.5255
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.49155
参考库存:27783
分立半导体
稳压二极管 200mW 4.7V Zener
1:¥3.5369
10:¥1.9436
100:¥0.92999
1,000:¥0.63732
4,000:¥0.48364
参考库存:27788
分立半导体
整流器 3A, 800V, GLASS PASSIVATED SMD RECTIFIER
1:¥3.7629
10:¥2.9945
100:¥2.034
500:¥1.4012
3,000:¥0.9379
9,000:查看
参考库存:27793
分立半导体
整流器 1A, 400V 200NS GLASS PASSIVATED,FAST RECT
1:¥2.8476
10:¥2.5312
100:¥1.6724
1,000:¥0.56048
5,000:¥0.46104
参考库存:27798
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