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分立半导体
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CSD25483F4

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET 20V P-CH FemtoFET MOSFET
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数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.5312
25.312
100
¥0.95259
95.259
1,000
¥0.72998
729.98
3,000
¥0.5537
1661.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PICOSTAR-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
1.6 A
Rds On-漏源导通电阻
1.07 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
950 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
960 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.35 mm
长度
1 mm
系列
CSD25483F4
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
0.64 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
1.4 S
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.7 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17.4 ns
典型接通延迟时间
4.3 ns
单位重量
0.400 mg
商品其它信息
优势价格,CSD25483F4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 500mW 22V 600 Ohm 0.1 uA 17 Vr
10,000:¥0.14577
20,000:¥0.13786
50,000:¥0.12317
100,000:¥0.09944
参考库存:52501
分立半导体
桥式整流器 4A, 600V, G.P., INLINE BRIDGE RECTIFIER
1:¥8.0682
10:¥7.458
100:¥5.7291
500:¥4.2488
1,000:¥3.1414
参考库存:52506
分立半导体
整流器 2A, 300V, 35NS, RECTIFIER
1:¥5.3788
10:¥4.9155
100:¥3.2092
1,000:¥1.07576
3,500:¥0.88366
参考库存:52511
分立半导体
肖特基二极管与整流器 16A,35V,SINGLE SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥8.3733
10:¥7.458
25:¥6.6896
100:¥5.8647
800:¥3.5934
2,400:查看
参考库存:52516
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20A,200V,DUAL SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥8.3733
10:¥7.458
25:¥6.6896
100:¥5.8647
800:¥3.5934
2,400:查看
参考库存:52521
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