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分立半导体
UJ3N120035K3S参考图片

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UJ3N120035K3S

  • UnitedSiC
  • 最新
  • JFET 35m? - 1200V SiC Normally-On JFET
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数量单价合计
1
¥370.2106
370.2106
5
¥350.2322
1751.161
10
¥340.243
3402.43
25
¥316.1966
7904.915
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
UnitedSiC
产品种类
JFET
RoHS
是
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
晶体管极性
N-Channel
配置
Single
Vds-漏源极击穿电压
1200 V
Vgs-栅源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
63 A
Rds On-漏源导通电阻
35 mOhms
Pd-功率耗散
429 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
商标
UnitedSiC
产品类型
JFETs
工厂包装数量
30
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，UJ3N120035K3S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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