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分立半导体
KSE350STU参考图片

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KSE350STU

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数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥3.3109
33.109
100
¥2.0114
201.14
1,000
¥1.5594
1559.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-126-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 300 V
集电极—基极电压 VCBO
- 300 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
最大直流电集电极电流
0.5 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
KSE350
直流电流增益 hFE 最大值
240
高度
11 mm
长度
8 mm
封装
Tube
宽度
3.25 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
- 0.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
30
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1920
子类别
Transistors
零件号别名
KSE350STU_NL
单位重量
761 mg
商品其它信息
优势价格,KSE350STU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Power SW
1:¥46.0249
10:¥45.6407
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2:¥424.0777
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10:¥1.3673
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
10,000:¥0.2147
20,000:查看
参考库存:194465
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1:¥2.9945
10:¥1.9323
100:¥0.94468
1,000:¥0.70738
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10:¥16.7466
100:¥13.3679
500:¥11.752
1,000:¥9.6841
参考库存:6769
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