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分立半导体
IPP045N10N3 G参考图片

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IPP045N10N3 G

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥19.436
19.436
10
¥16.5206
165.206
100
¥13.221
1322.1
500
¥11.6051
5802.55
1,000
¥9.605
9605
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
3.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
117 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
214 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
73 S
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
59 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
48 ns
典型接通延迟时间
27 ns
零件号别名
IPP045N10N3GXKSA1 IPP45N1N3GXK SP000680794
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPP045N10N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
LSM160G/TR13
Microsemi
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky
3,000:¥7.0286
6,000:¥6.7687
9,000:¥6.2602
参考库存:39977
JANTX1N6342US/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥156.2903
200:¥143.4648
500:¥136.5492
参考库存:39982
SET030619
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分立半导体
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10:¥2,029.5704
参考库存:39987
SET010411
Semtech
分立半导体
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10:¥1,306.3591
参考库存:39992
JAN1N3020CUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥219.2991
200:¥201.2417
参考库存:39997
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