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分立半导体
MT3S111P(TE12L,F)参考图片

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MT3S111P(TE12L,F)

  • Toshiba
  • 最新
  • 射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 1W
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数量单价合计
1
¥6.9156
6.9156
10
¥5.4918
54.918
100
¥4.2149
421.49
500
¥3.729
1864.5
1,000
¥2.938
2938
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
MT3S111P
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
集电极—发射极最大电压 VCEO
6 V
发射极 - 基极电压 VEBO
0.6 V
集电极连续电流
100 mA
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-62-3
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
8 GHz
商标
Toshiba
最大直流电集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
50 mg
商品其它信息
优势价格，MT3S111P(TE12L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RGP10ME-E3/73
Vishay Semiconductors
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二极管 - 通用，功率，开关 1.0A 1000 Volt 500ns
1:¥3.9211
10:¥2.2713
100:¥1.3221
500:¥1.07576
3,000:¥0.72207
6,000:查看
参考库存:2567
DF2005-G
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桥式整流器 VR=50V, IO=2A
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100:¥2.2261
1,000:¥1.5368
参考库存:3634
BCV48,115
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1:¥3.2996
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
2,000:¥0.89948
参考库存:6691
TK13E25D,S1X(S
Toshiba
分立半导体
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1:¥17.6732
10:¥14.2154
100:¥11.3678
500:¥9.9892
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B485F-2
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分立半导体模块 DIODE MODULE 480VAC 50ADC 1200VP
1:¥362.843
10:¥345.554
25:¥337.7118
50:¥329.8018
参考库存:1885
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