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分立半导体
SIHG22N60E-E3参考图片

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SIHG22N60E-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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库存:11,875(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥34.4198
34.4198
10
¥28.5099
285.099
100
¥23.4362
2343.62
250
¥22.7469
5686.725
500
¥20.3626
10181.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
21 A
Rds On-漏源导通电阻
180 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
57 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
227 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
66 ns
典型接通延迟时间
18 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,SIHG22N60E-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE SOD323-HG3
1:¥2.9945
10:¥1.6724
100:¥0.89157
500:¥0.71416
参考库存:50512
分立半导体
MOSFET PSMN1R6-30MLH/SOT1210/mLFPAK
1,500:¥3.6838
3,000:¥3.277
10,500:¥3.1527
25,500:¥3.051
参考库存:50517
分立半导体
稳压二极管 39 Volt 0.5W 5%
1:¥1.4577
10:¥1.2995
100:¥0.5537
500:¥0.46104
2,500:¥0.26103
5,000:查看
参考库存:50522
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor with Built-in Transistor
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:50527
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BC817-40/SN/SOT23/TO-236AB
1:¥1.07576
10:¥0.92999
100:¥0.32996
1,000:¥0.22261
参考库存:20280
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