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分立半导体
SIHG30N60E-GE3参考图片

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SIHG30N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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库存:4,571(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥49.4827
49.4827
10
¥40.9512
409.512
100
¥33.7305
3373.05
250
¥32.657
8164.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
29 A
Rds On-漏源导通电阻
125 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
85 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
36 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
32 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
63 ns
典型接通延迟时间
19 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,SIHG30N60E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 27 Volt 0.35W 5%
1:¥1.7628
10:¥1.2091
100:¥0.5989
500:¥0.50737
3,000:¥0.30736
6,000:查看
参考库存:49883
分立半导体
整流器 1500 Volt 1.0 Amp 25 Amp IFSM
1:¥3.6838
10:¥2.1809
100:¥1.2769
500:¥1.03734
5,500:¥0.66105
参考库存:3280
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 50V 500MA NPN
1:¥2.0792
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.40002
3,000:¥0.30736
参考库存:17522
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS PNP 500V 150MA
1:¥3.3787
10:¥2.7459
100:¥1.6724
1,000:¥1.2995
3,000:¥1.10627
参考库存:32589
分立半导体
MOSFET N-Ch 40V 49A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥6.3732
10:¥5.3336
100:¥3.4465
1,000:¥2.7572
5,000:¥2.7572
参考库存:50356
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