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分立半导体
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BSS806N H6327

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数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥2.0792
20.792
100
¥0.95259
95.259
1,000
¥0.72998
729.98
3,000
¥0.62263
1867.89
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
2.3 A
Rds On-漏源导通电阻
41 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
550 mV
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
1.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
系列
BSS806
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
9 S
下降时间
3.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
7.5 ns
零件号别名
BSS806NH6327XTSA1 BSS86NH6327XT SP000928952
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，BSS806N H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZX384B18-E3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 18 Volt 0.2W 2%
1:¥2.0792
10:¥1.4238
100:¥0.69947
500:¥0.5989
10,000:¥0.26894
20,000:查看
参考库存:49290
APT10035LFLLG
Microsemi
分立半导体
MOSFET Power FREDFET - MOS7
1:¥320.1177
5:¥309.3601
10:¥299.2918
25:¥276.7822
参考库存:4382
AZ23C36-E3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 36 Volt 0.3W 5% CA
1:¥2.4634
10:¥1.6498
100:¥0.80682
500:¥0.68365
3,000:¥0.4068
6,000:查看
参考库存:86259
PDTC114ET,235
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-11
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
10,000:¥0.18419
20,000:查看
参考库存:122601
BZT55C5V1-GS18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 5.1 Volt 0.5W 5%
1:¥1.4577
10:¥1.2995
100:¥0.5537
500:¥0.46104
10,000:¥0.20792
20,000:查看
参考库存:38773
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